[发明专利]对半导体集成电路进行门级别仿真的方法和装置无效
| 申请号： | 200710141109.7 | 申请日： | 2007-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN101122932A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 金卓永;张善泳;宋亨洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽;钱大勇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种对半导体集成电路(IC)进行门级别仿真的方法，包括：提供包括关于可变电源和可变地源的信息的网表，提供包括可变电源和可变地源的电路模型，以及通过使用电路模型对网表进行门级别仿真。 | ||
| 搜索关键词： | 对半 导体 集成电路 进行 级别 仿真 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种对半导体集成电路(IC)进行门级别仿真的方法，所述方法包括：提供包括关于可变电源和可变地源的信息的网表；提供包括所述可变电源和所述可变地源的电路模型；以及通过使用该电路模型对所述网表进行门级别仿真。
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