[发明专利]固态电解质存储元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710141085.5 | 申请日： | 2007-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN101369627A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 林哲歆 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云;许向华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种固态电解质存储元件的制造方法。该方法包括：在基底上形成绝缘层；在绝缘层上形成导电层；在导电层中形成至少两个部分重叠连通的开口，以使导电层形成至少一对自动对准的尖端电极；以及，在开口中填入固态电解质。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 电解质 存储 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种固态电解质存储元件的制造方法，包括：在基底上形成绝缘层；在上述绝缘层上形成导电层；在上述导电层中形成至少两个部分重叠连通的开口，以使上述导电层形成至少一对尖端电极；以及在上述开口中填入固态电解质。
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