[发明专利]可调谐铁电滤波器无效
申请号: | 200710135792.3 | 申请日: | 2002-04-02 |
公开(公告)号: | CN101136618A | 公开(公告)日: | 2008-03-05 |
发明(设计)人: | 斯坦利·斯拉夫科·通西赫 | 申请(专利权)人: | 京瓷无线公司 |
主分类号: | H03H7/01 | 分类号: | H03H7/01;H03H7/40;H03H7/46;H01L27/08;H01P1/203 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明对具有铁电电容器的可调谐带通滤波器中的损耗进行量化并设法使之减小。在给定所需的插入损耗和谐振器的品质因子后,考虑由铁电电容器特定拓扑结构引致的几何损耗以及金属损耗,从而定量出可接受的铁电损耗。 | ||
搜索关键词: | 调谐 滤波器 | ||
【主权项】:
1.一种可调谐电磁信号滤波器,包括谐振器和置于衬底(12)上的可调谐间隙电容器(10),其中,所述可调谐间隙电容器包括:沉积在所述衬底上的铁电膜(16),所述铁电膜具有由第一膜边缘和第二膜边缘限定的膜宽;第一金属导体层(18),其具有形成在所述铁电膜上的第一端部和形成在所述衬底上的第一导体部分,所述第一金属导体层的所述第一端部具有导体宽度W;第二金属导体层(18),其具有形成在所述铁电膜上的第二端部和形成在所述衬底上的第二导体部分,所述第二金属导体层的所述第二端部具有导体宽度W;以及间隙(10),位于所述第一金属导体层的所述第一端部和所述第二金属导体层的所述第二端部之间,并具有间隙宽度;其中使所述膜宽达到最小,以使所述第一膜边缘和所述第二膜边缘邻近于所述间隙,所述第一膜宽允许对所述可调谐间隙电容器进行调谐,并使来自铁电膜的损耗达到最小;以及其中,所述可调谐间隙电容器在约2GHz的频率处具有至少为160的Q值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京瓷无线公司,未经京瓷无线公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710135792.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。