[发明专利]单晶硅的培育工艺中溶液的液面位置监视装置有效
| 申请号： | 200710106433.5 | 申请日： | 2007-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN101126173A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 早川裕;前田德次 | 申请（专利权）人： | 株式会社上睦可 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国东*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶硅的培育工艺中溶液的液面位置监视装置，以带籽晶时的溶液的液面位置为基准位置监视使用了CZ法的单晶硅的培育工艺中坩埚内的溶液的液面位置，在单晶硅的培育工艺中，由于可计算对应于所有状况的溶液的假想液面位置，故可高精度地控制溶液和隔热板或水冷体的间隔。另外，在溶液的假想液面位置超过设定的上限而接近隔热板时产生警报，进而在与隔热板接触或接近水冷体时根据需要产生警报，同时强制地停止坩锅的移动，由此，可将溶液和水冷体的接触造成的水蒸气爆炸等重大事故防患于未然。由此，能够作为可进行使用了CZ法的单晶硅的培育装置的安全的操作的溶液的液面位置监视装置广泛地应用。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 培育 工艺 溶液 液面 位置 监视 装置 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅的培育工艺中溶液的液面位置监视装置，其以带籽晶时的溶液的液面位置为基准位置监视使用了直拉单晶生长法的单晶硅的培育工艺中坩锅内的溶液的液面位置，其特征在于，具备：观测溶液的液面位置的装置；观测坩锅位置的装置；存储从溶液的液面拉起的单晶硅的形状的装置；从所述观测到的溶液的液面位置及坩锅位置以及所述存储的单晶硅的形状，计算溶液的假想液面位置的装置；在每个控制周期将所述溶液的假想液面位置发送向次序电路从而控制坩锅的上升及下降的装置，并且，在所述溶液的假想液面位置超过上限位置时，停止坩锅的上升。
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