[发明专利]低温等离子体处理装置无效
| 申请号： | 200710104272.6 | 申请日： | 2007-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101077629A | 公开（公告）日： | 2007-11-28 |
| 发明（设计）人： | 星田繁宏;铃木真二;天野正 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | B29C71/04 | 分类号： | B29C71/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 朱德强 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 用于连续长度塑料薄膜低温等离子体处理的装置，该装置能够使用低温等离子体进行薄膜的表面改性处理加工，而且保持尺寸稳定性，不会引起对薄膜的损伤。用于进行薄膜表面改性处理的装置包括第一真空室，配备有将成卷塑料薄膜解卷的解卷单元；第二真空室，在其中解卷的塑料薄膜在其表面上经受低温等离子体处理；以及第三真空室，配备有将等离子体处理的塑料薄膜缠绕成卷材的缠绕单元，这些真空室沿着处理时塑料薄膜的运行方向串联到一起。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.用于塑料薄膜表面的低温等离子体处理的装置，包括：(1)第一真空室，配备有将成卷塑料薄膜解卷的解卷单元；(2)第二真空室，在其中已被解卷的塑料薄膜在表面上经受低温等离子体处理；以及(3)第三真空室，配备有将等离子体处理过的塑料薄膜缠绕成卷材的缠绕单元，真空室(1)至(3)沿着处理时塑料薄膜的运行方向串联连接到一起。
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