[发明专利]生成半导体器件所用测试电路的方法和装置无效

专利信息
申请号: 200710097338.3 申请日: 2007-05-11
公开(公告)号: CN101079327A 公开(公告)日: 2007-11-28
发明(设计)人: 西川亮太 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: G11C29/30 分类号: G11C29/30;G11C29/36;G11C29/40
代理公司: 北京德琦知识产权代理有限公司 代理人: 陆弋;朱登河
地址: 日本大阪*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 测试电路生成方法包括以下步骤:第一步骤,用于获得包含所述存储器结构信息的存储器信息;第二步骤,用于获得故障判断比特信息,所述故障判断比特信息从所述存储器的所有输出比特中指定作为故障判断目标的判断目标比特;和第三步骤,用于参照所述存储器信息生成故障判断控制电路,所述故障判断控制电路通过仅仅使用在所述故障判断比特信息中指定的所述故障判断目标比特对所述存储器进行故障判断。
搜索关键词: 生成 半导体器件 所用 测试 电路 方法 装置
【主权项】:
1、一种用于生成半导体集成电路中测试电路的方法,即生成用于测试包括存储器的半导体集成电路的测试电路的方法,所述方法包括以下步骤:第一步骤,用于获得包含所述存储器结构信息的存储器信息;第二步骤,用于获得故障判断比特信息,所述故障判断比特信息从所述存储器的所有输出比特中指定作为故障判断目标的判断目标比特;和第三步骤,用于参照所述存储器信息生成故障判断控制电路,所述故障判断控制电路通过仅仅使用在所述故障判断比特信息中指定的所述判断目标比特对所述存储器进行故障判断。
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