[发明专利]电路仿真的模型方法无效
| 申请号： | 200710094126.X | 申请日： | 2007-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101221589A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 邹小卫 | 申请（专利权）人： | 埃派克森微电子（上海）有限公司;埃派克森微电子有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种静电防护器件电路仿真的模型方法。在普通SPICE器件模型基础上，将场效应晶体管、双极晶体管、电流控制电流源、以及源漏衬底可变电阻等共同建立一个用于仿真静电仿护器件骤回崩溃现象的宏模型。该器件模型的建立有利于集成电路设计者直接仿真静电放电时器件的行为特征，为优化静电防护电路的设计提高了工作效率以及设计的准确性，因此能够缩短产品的设计周期、降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 电路 仿真 模型 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电路仿真的模型方法，其特征在于，模型建立方法如下：a.建立MOSFET晶体管在普通条件下的器件模型；b.建立寄生的横向NPN晶体管在普通条件下的器件模型；c.增加一个电流控制电流源以仿真静电感应发生时的电流雪崩现象；d.在晶体管的源漏极及衬底上各串联一个可变电阻。
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