[发明专利]光刻装置和器件制造方法有效

专利信息
申请号: 200710085565.4 申请日: 2007-03-12
公开(公告)号: CN101038442A 公开(公告)日: 2007-09-19
发明(设计)人: E·R·卢普斯特拉;E·A·F·范德帕施 申请(专利权)人: ASML荷兰有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/027
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 范晓斌;刘华联
地址: 荷兰费*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 一种光刻装置包括:液体限制系统,用于将液体限制在投影系统的最末元件和基底之间的空间内;以及第一和第二基底平台,各基底平台设置成相互配合以便进行联合移动,用于使得光刻装置从第一状态朝着第二状态变化,在该第一状态中,该液体被限制在由第一基底平台保持的第一基底和该最末元件之间,而在第二状态中,该液体被限制在由第二基底平台保持的第二基底和最末元件之间;这样,在该联合移动过程中,该液体基本上被限制在与该最末元件相关的该空间中。该装置还包括位置测量系统,它设置成至少在该联合移动过程中测量第一基底平台和第二基底平台的位置。
搜索关键词: 光刻 装置 器件 制造 方法
【主权项】:
1.一种光刻装置,包括:构图部件支撑件,用于支撑构图部件,该构图部件能够将图案赋予辐射束的横截面中,以便形成图案化辐射束;投影系统,用于将该图案化辐射束投射到处于该装置的曝光站中的基底上;液体限制系统,用于将液体限制在该投影系统的最末元件与该基底之间的空间内;第一和第二基底平台,用于保持基底;以及干涉仪位置测量系统,用于测量该第一和第二基底平台的位置,其中,该第一和第二基底平台构造和布置成可相互配合,以便进行联合移动,用于使得该光刻装置从第一状态朝着第二状态变化,在该第一状态中,该液体被限制在由第一基底平台保持的第一基底与该最末元件之间,而在第二状态中,该液体被限制在由第二基底平台保持的第二基底与该最末元件之间,使得在该联合移动过程中,该液体基本被限制在与该最末元件相关的该空间内;其中,该干涉仪位置测量系统设置成连续测量第一基底平台和第二基底平台的位置。
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