[发明专利]高密度探针阵列无效
| 申请号： | 200710085499.0 | 申请日： | 2007-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN101034573A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 刘东哲;裴丙才;许长垠;林志;任桐贤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11B9/14 | 分类号： | G11B9/14;G11B9/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 林宇清;谢丽娜 |
| 地址： | 韩国京畿道水*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 可以通过以下步骤制造探针阵列：形成布置在牺牲衬底上的探针、在这些探针上形成探针衬底以及去除牺牲衬底。在一个实施例中，可以在牺牲衬底上在行和列的方向上二维地形成第一探针。可以在以行方向布置的第一探针之间形成第二探针，使得该第一和第二探针间的距离小于光刻工艺中的分辨率极限。可以在具有第一探针和第二探针的牺牲衬底上形成探针衬底，并且可以去除该牺牲衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 探针 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种制造探针阵列的方法，包括：在牺牲衬底上形成在行和列的方向上二维地布置的第一探针；在以行方向布置的第一探针之间形成第二探针；在第一探针和第二探针之上形成探针衬底；以及去除该牺牲衬底。
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