[发明专利]薄膜压电共振器、其制造方法以及包括其的滤波器无效
| 申请号： | 200710079154.4 | 申请日： | 2007-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN101026371A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 佐野贤也;板谷和彦;尾原亮一;川久保隆 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H03H9/17 | 分类号： | H03H9/17;H03H9/58;H03H3/02 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种薄膜压电共振器包括：具有空腔的衬底；第一介电层，设置在所述衬底上以覆盖所述空腔；第二介电层，设置在所述衬底上且设置在所述空腔的周围区域中，且其厚度大于所述第一介电层的厚度；第一电极，设置在所述第一介电层上和所述空腔上方；压电层，设置在所述第一电极上且设置为延伸至所述第二介电层上的区域；以及第二电极，设置在所述压电层上和所述第一电极上方。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 压电 共振器 制造 方法 以及 包括 滤波器 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜压电共振器，包括：具有空腔的衬底；第一介电层，设置在所述衬底上以覆盖所述空腔；第二介电层，设置在所述衬底上且设置在所述空腔的周围区域中，且其厚度大于所述第一介电层的厚度；第一电极，设置在所述第一介电层上和所述空腔上方；压电层，设置在所述第一电极上且设置为延伸至所述第二介电层上的区域；以及第二电极，设置在所述压电层上和所述第一电极上方。
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