[发明专利]一种纳秒级分辨率的X射线二极管无效

专利信息
申请号: 200710072569.9 申请日: 2007-07-25
公开(公告)号: CN101101335A 公开(公告)日: 2008-01-09
发明(设计)人: 程元丽;赵永蓬;朱秋石;王骐 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: G01T1/24 分类号: G01T1/24
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 代理人: 毕志铭
地址: 150001黑龙江*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种纳秒级分辨率的X射线二极管,它涉及一种X射线二极管,为了解决现有的X射线二极管的结构复杂的问题。本发明由阳极金属网、阴极金属和偏压测量电路组成,所述的阳极金属网与阴极金属相对平行设置,偏压测量电路连接阴极金属,所述的偏压测量电路由第一电阻、第二电阻和电容组成,所述的第一电阻的一端连接阴极金属和电容的一端,电容的另一端连接第二电阻的一端,第二电阻的另一端接地,第一电阻的另一端作为偏压输入端和信号输出端。本发明简化了普通X射线二极管的结构,其可在较低真空度和偏压下工作。
搜索关键词: 一种 纳秒级 分辨率 射线 二极管
【主权项】:
1、一种纳秒级分辨率的X射线二极管,其特征在于它由阳极金属网(1)、阴极金属(2)和偏压测量电路(3)组成,所述的阳极金属网(1)与阴极金属(2)相对平行设置,偏压测量电路(3)连接阴极金属(2),所述的偏压测量电路(3)由第一电阻(R1)、第二电阻(R2)和电容(C)组成,所述的第一电阻(R1)的一端连接阴极金属(2)和电容(C)的一端,电容(C)的另一端连接第二电阻(R2)的一端,第二电阻(R2)的另一端接地,第一电阻(R1)的另一端作为偏压输入端和信号输出端。
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