[发明专利]一种晶片的抛光方法无效

专利信息
申请号: 200710068274.4 申请日: 2007-05-09
公开(公告)号: CN101069958A 公开(公告)日: 2007-11-14
发明(设计)人: 李伟;胡晓冬 申请(专利权)人: 浙江工业大学
主分类号: B24B29/00 分类号: B24B29/00
代理公司: 杭州天正专利事务所有限公司 代理人: 王兵;王利强
地址: 310014*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 一种晶片的抛光方法,主要包括以下步骤:(1)把待加工的晶片放置到抛光机的行星轮上;(2)启动抛光机,抛光机自检正常后,依照待加工晶片设置工艺参数;(3)控制与上抛光盘连接的汽缸下降,并接收位置传感器的信号,当上抛光盘到达工作位置时,汽缸停止,并将上抛光盘与长轴连接;(4)检测抛光液输送装置正常后,并打开抛光液;(5)控制汽缸继续下降,并通过压力传感器检测汽缸与上抛光盘之间的压力,当压力传感器的压力达到预设的压力时,启动各个变频电机;(6)依照转速控制曲线控制变频电机,压力控制曲线控制汽缸,进行晶片抛光。本发明可实现无极调速、调节上抛光盘的压力、加工过程平稳性佳、可有效提升抛光效率。
搜索关键词: 一种 晶片 抛光 方法
【主权项】:
1、一种晶片的抛光方法,该方法主要包括以下步骤:(1)、把待加工的晶片放置到抛光机的行星轮上;(2)、启动抛光机,抛光机自检正常后,依照待加工晶片设置工艺参数:各个变频电机的转速控制曲线、汽缸的压力控制曲线、抛光液的温度和流量;(3)、控制与上抛光盘连接的汽缸下降,并接收位置传感器的信号,当上抛光盘到达工作位置时,汽缸停止,并将上抛光盘与长轴连接;(4)、检测抛光液输送装置正常后,并打开抛光液;(5)、控制汽缸继续下降,并通过压力传感器检测汽缸与上抛光盘之间的压力,当压力传感器的压力达到预设的压力时,启动各个变频电机;(6)、依照转速控制曲线控制变频电机转动,压力控制曲线控制汽缸,进行晶片抛光。
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