[发明专利]声表面波气体传感器的制造方法无效

专利信息
申请号: 200710064333.0 申请日: 2007-03-12
公开(公告)号: CN101034083A 公开(公告)日: 2007-09-12
发明(设计)人: 李强;李冬梅;潘峰 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: G01N29/028 分类号: G01N29/028;H01L49/00
代理公司: 北京众合诚成知识产权代理有限公司 代理人: 李光松
地址: 100084北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了属于传感器制造技术的一种声表面波气体传感器的制造方法。该方法为在要生长敏感膜的气体传感器图形上蒸镀一层活泼金属(Al,Mg,Zn,Sn等),再经过光刻及湿法刻蚀,将需要自组装敏感膜的金(Ag或Pt)膜裸露出来,换能器IDT被活泼金属掩盖,然后进行单分子自组装,再将自组装好的器件浸入通用碱或酸腐蚀溶液中去除活泼金属。本发明提供精确地只在声传播路径上的金(或Pt)膜表面自组装敏感膜,而保护其他金(Ag或Pt)膜的方法。同时,提高了自组装敏感膜的大小精度。因而大大提高了声表面波气体传感器的精度。
搜索关键词: 表面波 气体 传感器 制造 方法
【主权项】:
1.一种声表面波气体传感器的制造方法,其特征在于:该方法为在要生长敏感膜的气体传感器图形上蒸镀一层活泼金属,再经过光刻及湿法刻蚀,将需要自组装敏感膜的部位裸露出来,IDT叉指换能器被活泼金属掩盖,然后进行单分子自组装,再将自组装好的器件浸入通用碱或酸腐蚀溶液中去除掩盖的活泼金属;具体制备工艺步骤:1)用电子束或热蒸发方法在压电基体1的光刻好的传感器图形上蒸镀一层10-50nm活泼金属层4,其中光刻好的传感器图形包括IDT叉指换能器2及传播路径上用于生长敏感膜的金属薄膜3;2)光刻或电子束直写活泼金属层4,并湿法刻蚀活泼金属层4,裸露在声传播路径上的用于生长敏感膜的金属薄膜3,IDT叉指换能器2部分均被活泼金属层4掩盖起来;3)用物理或化学法在生长敏感膜的金属薄膜3上生长敏感膜5;4)将步骤3的产品放入酸或碱液中去除泼金属层,将不需要长敏感膜的部位重新裸露出来,即完成声表面波气体传感器的制作。
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