[发明专利]加热消除绝缘陶瓷样品荷电效应的方法无效
申请号: | 200710064136.9 | 申请日: | 2007-03-02 |
公开(公告)号: | CN101017123A | 公开(公告)日: | 2007-08-15 |
发明(设计)人: | 吉元;徐学东;付景永;王丽;张隐奇 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | G01N1/44 | 分类号: | G01N1/44;G01N23/00;H05F1/00 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 沈波 |
地址: | 100022*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明是一种加热消除绝缘陶瓷样品荷电效应的方法。该方法主要用于消除陶瓷类绝缘样品在电子束辐照下产生的荷电效应,达到在扫描电镜中直接对绝缘样品进行观察和分析的目的。本发明是在SEM中配置一个加热装置,而不改变SEM原有的真空系统、电子光学系统和电子信号探测系统。加热使绝缘样品的荷电效应逐渐减小和消除。由于加热是在高真空环境中进行的,因而减小了残余气体分子对入射电子的散射作用,避免了残余气体对样品表面的污染,从而提高了图像的质量。与通常的采用负电荷与正离子中和的方法来消除荷电效应的结果相比较,加热消除荷电可使非导电样品的二次电子像具有更好的图像衬度和信噪比,是一种简便、有效的荷电补偿方法。 | ||
搜索关键词: | 加热 消除 绝缘 陶瓷 样品 效应 方法 | ||
【主权项】:
1、加热消除绝缘陶瓷样品荷电效应的方法,其特征在于,是按以下步骤进行的:1)安装加热系统:将扫描电镜样品室的真空卸除,从样品室中拉出样品架,卸下固定在样品架上的普通样品台(12),将加热台(4)安装在样品架上;2)在样品室(8)的侧壁上固定有密封连接板,设置在样品室(8)外的加热电源(9)、mV计(10)的导线通过密封连接板与加热台(4)的导线相连;3)安装样品:将样品(5)放置在加热台(4)上,将样品架推进样品室(8)内;4)选择真空模式,对ESEM样品室抽真空;当真空度达到选定值后,给样品设定加速电压,并选择其它成像参数;5)打开加热电源(9)和mV计(10),加热样品(5)。
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