[发明专利]多晶四氧化三铁薄膜材料的制备方法无效
| 申请号： | 200710056481.8 | 申请日： | 2007-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN101003893A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 白海力;刘晖;申俊杰;米文搏;姜恩永 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54;C23C14/08 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300072天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及多晶四氧化三铁薄膜材料的制备方法。采用对向靶反应溅射法或一般磁控溅射法，其中选用纯度高于99.99％高纯Fe为靶材，溅射装置真空系统的背底真空要求高于1.0×10－5Pa；反应气体的流量与溅射气体的流量比要求低于5％；溅射功率：溅射功率为15W/cm2～20W/cm2；多晶四氧化三铁薄膜材料，具有多晶结构，晶粒尺寸均匀，材料的X射线光电子能谱中Fe2+的特征峰位于709和723eV，使Fe2p1/2和Fe2p3/2峰展宽；不出现位于719eV处的Fe3+的特征卫星峰；厚度为10～1120nm的Fe3O4薄膜的电阻率随薄膜厚度的减小逐渐增大；室温下，当薄膜厚度减小到10nm时，电阻率增加了近四个数量级，并且没有观察到Verwey转变；电阻率与温度的关系符合颗粒间隧穿模型：logρ～T－1/2。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 氧化 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶四氧化三铁薄膜材料的制备方法，采用对向靶反应溅射法或一般磁控溅射法，其特征是：选用纯度高于99.99％高纯Fe为靶材，溅射装置真空系统的背底真空要求在2.0×10-5～6×10-6Pa；反应气体O2的流量与溅射气体Ar的流量比要求在1％～6％范围内；溅射功率：溅射功率为10W/cm2～20W/cm2。
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