[发明专利]一种构筑三维微结构的方法无效

专利信息
申请号: 200710055454.9 申请日: 2007-03-27
公开(公告)号: CN101024482A 公开(公告)日: 2007-08-29
发明(设计)人: 吕男;胡伟;吴英;迟力峰 申请(专利权)人: 吉林大学
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;G03F7/00
代理公司: 长春吉大专利代理有限责任公司 代理人: 张景林;刘喜生
地址: 130023吉林省*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明涉及一种构筑三维微结构的方法。首先是以光刻等方法构筑二维微结构表面(作为牺牲结构材料),采用压印技术将聚合物预聚体或紫外胶前体挤入二维微结构表面的沟槽内,通过原位热或光聚合目标材料;然后在前一层基础上再次构筑微结构材料表面(同样作为牺牲结构材料),并逐步分层构筑多层的聚合物或紫外曝光胶阵列结构,最终一次洗脱掉牺牲材料,即得到目标材料的三维微结构。不同层间的微结构阵列的形状、尺寸、厚度、材质可以是相同的,也可以是不同的。本发明所述方法在光子学器件、传感器、微流体器件、微电动机械系统、光子晶体、三维连接波导管、超棱镜、微反应器和催化剂载体等方面都有着潜在的应用价值。
搜索关键词: 一种 构筑 三维 微结构 方法
【主权项】:
1、一种构筑三维微结构的方法,包括如下步骤:a)利用紫外光刻技术,经在基底上旋涂光刻胶、加热退火、紫外曝光、显影吹干步骤,在基底上构筑具有微米或亚微米结构的光刻胶模板;b)利用压印方法将平滑基片上的聚合物预聚体或紫外曝光胶前体涂层挤入到光刻胶模板的间隙内;c)将平滑基片剥离,从而在基底上形成光刻胶与聚合物预聚体或光刻胶与紫外曝光胶前体相间的结构;d)静置2~24小时后,聚合或固化制得微米或亚微米结构基底;e)将上述基底旋转0~360°,重复步骤a~d,构筑后续的各层材料、尺寸、形状相同或不相同的微米或亚微米结构;f)利用有机溶剂选择洗脱掉光刻胶,即可在基底上得到多层具有微米或亚微米结构的聚合物或紫外曝光胶图案,从而得到三维微结构。
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