[发明专利]氙气中杂质的色谱分析方法有效
申请号: | 200710053332.6 | 申请日: | 2007-09-21 |
公开(公告)号: | CN101126750A | 公开(公告)日: | 2008-02-20 |
发明(设计)人: | 熊万红;李禾;谢欣;胡洁 | 申请(专利权)人: | 武汉钢铁(集团)公司 |
主分类号: | G01N30/88 | 分类号: | G01N30/88;G01N30/02 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人: | 段姣姣 |
地址: | 43008*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种氙气中所有杂质的色谱分析方法。其解决的问题是对氙气中所有杂质尤其是其中的氟化物能进行分析、分析时间要缩短等。技术措施:本发明的分析步骤包括:首先分析氙气中的H2、O2、N2、Kr、CO、CO2、CH4、N2O杂质步骤:选用氦底气为标准气及PDD色谱仪;设定PDD色谱条件;进行分析;分析氙气中的SF6杂质步骤:设定色谱条件;在气相色谱分析仪运行到8~10分钟,将氙气导入分子筛色谱柱,在运行到10~12分钟,切断进入分子筛色谱柱的氙气,分析杂质SF6;分析氙气中的C2F6杂质,其步骤:设定色谱条件;待工作条件稳定后进行分析;采用FID色谱分析仪分析杂质:CH4、C2H4、C2H6、C3H8,其步骤:选用标准气;设定FID色谱仪工作条件;分析杂质CH4、C2H4、C2H6、C3H8含量。 | ||
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【主权项】:
1.氙气中杂质的色谱分析方法,其步骤包括:1)、首先分析氙气中的H2、O2、N2、Kr、CO、CO2、CH4、N2O杂质步骤:a)选用氦底气为标准气及PDD色谱仪;b)设定PDD色谱条件:炉温:60~90℃,运行时间:20~15分钟,检测器温度:130~200℃,阀箱温度75~90℃,进入分子筛色谱柱的载气压力:0.23~0.29MPa,进入高分子微球色谱柱的载气压力:0.3~0.38MPa;d)PDD工作条件稳定后进行分析;2)分析氙气中的SF6杂质,其步骤:a)设定色谱条件:炉温:70℃,运行时间:17分钟,检测器温度:130~160℃,阀箱温度75~90℃,进入高分子微球色谱柱的载气压力:0.3~0.38MPa;b)在气相色谱分析仪运行到8~10分钟,将氙气导入分子筛色谱柱,在运行到10~12分钟,切断进入分子筛色谱柱的氙气,分析杂质SF6;3)分析氙气中的C2F6杂质,其步骤:a)设定色谱条件:炉温:30~50℃,运行时间:25~17分钟,检测器温度:130~200℃,阀箱温度75~90℃,进入高分子微球色谱柱的载气压力:0.3~0.38MPa;b)待工作条件稳定后进行分析;4)采用FID色谱分析仪分析杂质:CH4、C2H4、C2H6、C3H8,其步骤:a)选用标准气b)设定FID色谱仪工作条件:炉温:90~120℃,运行时间:8~4分钟,检测器底座温度:190~210℃,Al2O3色谱柱的载气压力:0.16~0.2MPa;空气流量∶氢气∶载气=1~10∶1∶1;c)分析杂质CH4、C2H4、C2H6、C3H8含量。
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