[发明专利]一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路无效

专利信息
申请号: 200710052018.6 申请日: 2007-04-28
公开(公告)号: CN101046853A 公开(公告)日: 2007-10-03
发明(设计)人: 邹雪城;张科峰;刘政林;戴逸飞;刘冬生 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: G06K19/073 分类号: G06K19/073;H05F3/00
代理公司: 华中科技大学专利中心 代理人: 曹葆青
地址: 430074湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路,该电路包括电压比较器电路和电流泻放电路。电压比较器电路包括PMOS管P1,P3和电阻R2,R3,用于检测和比较电压值;电流泻放电路包括NMOS管N1、N2、二极管D1和电阻R1,用于泻放静电脉冲和射频高压。本发明减小了输入节点寄生电容,避免了出现高频信号的延时效应,并避免了出现主保护管还没有工作而次保护管就已烧毁的情况,提高了电路的稳定性。此外,本发明不仅能实现ESD保护功能还能起到射频限压的作用,仅用一个电路就实现了两种功能,特别适合应用于无源RFID标签芯片。本发明在减少面积降低功耗的同时,还提升了ESD保护电路的保护性能,进一步提高了整个标签芯片的使用寿命。
搜索关键词: 一种 适用于 射频 识别 标签 芯片 静电 保护 电路
【主权项】:
1、一种适用于射频识别标签芯片的静电保护电路,其特征在于:该电路包括电压比较器电路(1)和电流泻放电路(2);电压比较器电路(1)用于检测和比较电压值,它包括PMOS管P1,P3和电阻R2,R3,PMOS管P1,P3的栅极和漏极相连,形成正偏二极管结构,并串联在一起,PMOS管P3的漏极和电阻R2的一端连接,控制节点DS位于PMOS管P3的漏极和电阻R2的连线上,电阻R2的另一端则与最低电位连接,电阻R3一端与PMOS管P1源极相连,另一端连接到检测节点TDD;电流泻放电路(2)用于泻放静电脉冲和射频高压,它包括NMOS管N1、N2、二极管D1和电阻R1,NMOS管N1栅极与控制节点DS相连,漏极连接到输入节点PAD,源极与最低电位连接,NMOS管N2漏极与电源VCC相连,栅极和源极连接形成反偏二极管结构,并与最低电位相连,二极管D1的正极连接到输入节点PAD,负极连接到电源VCC。
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