[发明专利]晶圆背面研磨方法有效
| 申请号： | 200710045033.8 | 申请日： | 2007-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101367192A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 许顺富;傅俊;陆志卿;赖海长 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶圆背面研磨方法，包括：提供晶圆，所述晶圆具有形成有集成电路的正面和对应于所述正面的背面；贴附保护胶带于所述晶圆的正面，所述保护胶带的厚度大于等于研磨装置的最小研磨厚度限制与预定的晶圆厚度之差；计算研磨厚度，所述的研磨厚度是贴附于晶圆正面的保护胶带的厚度与预定的晶圆厚度之和；将所述晶圆装载于研磨装置，使所述晶圆的背面显露；根据计算所得的研磨厚度，研磨所述晶圆的背面。本发明晶圆背面研磨方法可以使研磨装置将晶圆研磨得更薄，同时却不会增加晶圆的破损率。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 研磨 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆背面研磨方法，其特征在于，包括下述步骤：提供晶圆，所述晶圆具有形成有集成电路的正面和对应于所述正面的背面；贴附保护胶带于所述晶圆的正面，所述保护胶带的厚度大于等于研磨装置的最小研磨厚度限制与预定的晶圆厚度之差；计算研磨厚度，所述研磨厚度是贴附于晶圆正面的保护胶带的厚度与预定的晶圆厚度之和；将所述晶圆装载于研磨装置，使所述晶圆的背面显露；根据计算所得的研磨厚度，研磨所述晶圆的背面。
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