[发明专利]MOS管电阻的建模方法有效
| 申请号： | 200710042347.2 | 申请日： | 2007-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN101329693A | 公开（公告）日： | 2008-12-24 |
| 发明（设计）人： | 邵芳;黄威森 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOS管电阻的建模方法，包括下列步骤，挑选不同沟道宽度的MOS管作为待建模MOS管；针对每一个MOS管，至少使用一种多晶硅根数和单根多晶硅沟道宽度的组合方式来进行布图；测量根据所述布图结构生产的各个MOS管的I－V特性；根据测得的I－V特性得到相应电阻；拟和所得电阻，得到该电阻随多晶硅根数和单根多晶硅沟道宽度变化的关系。本发明建模方法得到的模型相对于现有技术更接近测量值，因此较精确。 | ||
| 搜索关键词： | mos 电阻 建模 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MOS管电阻的建模方法，其特征在于，包括下列步骤，挑选不同沟道宽度的MOS管作为待建模MOS管；针对每一个MOS管，至少使用一种多晶硅根数和单根多晶硅沟道宽度的组合方式来进行布图；测量根据所述布图结构生产的各个MOS管的I-V特性；根据测得的I-V特性得到相应电阻；拟和所得电阻，得到该电阻随多晶硅根数和单根多晶硅沟道宽度变化的关系。
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