[发明专利]一种检验刻蚀液是否有效的方法有效
申请号: | 200710039194.6 | 申请日: | 2007-04-06 |
公开(公告)号: | CN101281374A | 公开(公告)日: | 2008-10-08 |
发明(设计)人: | 魏广升 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L21/66 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 王洁 |
地址: | 2012*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种检验刻蚀液是否有效的方法。现有检验方法因不去除测试晶圆表面的自然氧化层而直接用测试晶圆检验刻蚀液,致使测得的刻蚀速率无法准确反应刻蚀液的状况。本发明的方法先提供一测试晶圆,其中,该测试晶圆上具有一测试层,该测试层上具有一自然氧化层;接着去除该自然氧化层;之后测量该测试晶圆的厚度或方块电阻;然后将该测试晶圆浸没在刻蚀液中进行一预定刻蚀时间的刻蚀;之后测量该测试晶圆被刻蚀后的厚度或方块电阻;接着计算出该测试晶圆厚度或方块电阻的改变量,并依据该改变量计算出刻蚀速率;最后判断该刻蚀速率是否在容许范围内并依据判断结果判定刻蚀液是否有效。采用本发明的方法可有效检验出检验刻蚀液是否有效。 | ||
搜索关键词: | 一种 检验 刻蚀 是否 有效 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种检验刻蚀液是否有效的方法,该方法包括以下步骤:(1)提供一用于浸没在刻蚀液中与该刻蚀液发生反应的测试晶圆,其中,该测试晶圆上具有一测试层,且该测试层上具有一自然氧化层;(2)测量该测试晶圆的厚度或方块电阻;(3)将该测试晶圆浸没在刻蚀液中进行一预定刻蚀时间的刻蚀;(4)测量该测试晶圆被刻蚀后的厚度或方块电阻;(5)计算出该测试晶圆厚度或方块电阻的改变量,并依据该改变量以及预定刻蚀时间计算出刻蚀速率;(6)判断该刻蚀速率是否在容许范围内并依据判断结果判定刻蚀液是否有效;其特征在于,该方法在进行步骤(2)前先去除该自然氧化层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710039194.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。