[发明专利]多级加速模式下磁控溅射镀膜方法无效
| 申请号： | 200710022592.7 | 申请日： | 2007-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101054659A | 公开（公告）日： | 2007-10-17 |
| 发明（设计）人： | 陈荣发;赵毅红 | 申请（专利权）人： | 扬州大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司： | 扬州苏中专利事务所 | 代理人： | 胡定华 |
| 地址： | 225009*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种多级加速模式下磁控溅射镀膜方法，在镀膜过程中，靶材和基体材料之间设有二级加速电场，电场的方向与粒子加速的方向一致。二级加速电场设有直流电源，电源正极连接基体材料，电源负极连接靶材。本发明工艺方法简单，使用操作方便，提高溅射镀膜质量。在磁控溅射的靶材和基体材料之间，施加一定加速电位，对电离后形成的离子进行加速，提高气体离化率，同时对溅射出来的荷能粒子进行二次加速，提高荷能粒子轰击基体材料的能量，改善薄膜与基体材料的结合强度。 | ||
| 搜索关键词： | 多级 加速 模式 磁控溅射 镀膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多级加速模式下磁控溅射镀膜方法，其特征是在镀膜过程中，靶材和基体材料之间设有二级加速电场，电场的方向与粒子加速的方向一致。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州大学，未经扬州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710022592.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
