[发明专利]一种提高真空绝缘介质沿面闪络电压的方法无效
| 申请号： | 200710019076.9 | 申请日： | 2007-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN101183574A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 李盛涛;张拓;张云霞;黄奇峰;焦兴六;李建英 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01B17/42 | 分类号： | H01B17/42;H01B17/50;H01B3/02;H01B19/04 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国智 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明为了提高真空中绝缘介质沿面闪络电压，公开了一种对绝缘介质表面溅射金粒子的方法，其特征在于，包括下述步骤：(1)制备长度为4mm～14mm的绝缘介质试样，试样长度即为电极间距；(2)使用粒子溅射仪，在绝缘介质试样表面溅射金粒子，溅射时间控制在10s～40s；(3)最后得到金膜厚度在3.92～15.68埃的表面半导化绝缘介质的试样。本发明通过对绝缘介质外表面进行溅射金粒子处理，可以显著的提高其真空沿面闪络电压。本发明提出的方法可应用于电气、航天、武器系统等多个领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 真空 绝缘 介质 沿面闪络 电压 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高真空绝缘介质沿面闪络电压的方法，其特征在于，包括下述步骤：(1)制备长度为4mm～14mm的绝缘介质试样，试样长度即为电极间距；(2)使用粒子溅射仪，在绝缘介质试样表面溅射金粒子，溅射时间控制在10s～40s；(3)最后得到金膜厚度大致在4～16埃的表面半导化绝缘介质试样。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710019076.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种淋浴房
- 下一篇：节能合建式曝气沉淀池
