[发明专利]用于制造磁阻效应元件的方法无效
| 申请号： | 200710005511.2 | 申请日： | 2007-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN101017668A | 公开（公告）日： | 2007-08-15 |
| 发明（设计）人： | 汤浅裕美;福泽英明;藤庆彦;岩崎仁志 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39;G11B5/245 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用于制造磁阻效应元件的方法，该磁阻效应元件具有依次层叠的磁化固定层、非磁性中间层以及磁化自由层。该方法包括：形成将成为磁化固定层或磁化自由层之一的至少部分磁性层；形成功能层，该功能层包括位于该磁性层的部分上的氧化物、氮化物以及氟化物中的至少一种；以及通过将功能层暴露于离子束辐射或等离子体辐射之一从而去除部分功能层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 磁阻 效应 元件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造磁阻效应元件的方法，所述磁阻效应元件具有依次层叠的磁化固定层、非磁性中间层以及磁化自由层，所述方法包括：形成将成为所述磁化固定层或所述磁化自由层之一的磁性层的至少部分；形成功能层，其包括位于所述磁性层的部分上的氧化物、氮化物以及氟化物中的至少一种；以及通过将所述功能层暴露于离子束辐射和等离子体辐射中的一种，从而去除所述功能层的部分。
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