[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200710004302.6 | 申请日： | 2007-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN101004558A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 伊藤信一;松永健太郎;河村大辅 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 李峥;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件的制造方法，包括：液浸移动曝光工序，该液浸移动曝光工序在将要实施曝光处理的被曝光基板和进行所述曝光处理的曝光装置的投影光学系统之间隔着液体，并且一边使所述被曝光基板相对于所述投影光学系统相对移动，一边对在所述被曝光基板的表面上设定的多个曝光区域进行所述曝光处理；第一液浸移动工序，该第一液浸移动工序在所述各个曝光区域中相邻的所述各个曝光区域之间，在所述被曝光基板和所述投影光学系统之间隔着所述液体但不进行所述曝光处理，而使所述被曝光基板相对于所述投影光学系统相对移动；以及第二液浸移动工序，该第二液浸移动工序在比所述第一液浸移动工序的移动距离长的距离中，在所述被曝光基板和所述投影光学系统之间隔着所述液体但不进行所述曝光处理，使所述被曝光基板以比所述第一液浸移动工序的移动速度慢的速度相对于所述投影光学系统相对移动。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：液浸移动曝光工序，该液浸移动曝光工序在将要实施曝光处理的被曝光基板和进行所述曝光处理的曝光装置的投影光学系统之间隔着液体，并且一边使所述被曝光基板相对于所述投影光学系统相对移动，一边对在所述被曝光基板的表面上设定的多个曝光区域进行所述曝光处理；第一液浸移动工序，该第一液浸移动工序在所述各个曝光区域中相邻的所述各个曝光区域之间，在所述被曝光基板和所述投影光学系统之间隔着所述液体但不进行所述曝光处理，而使所述被曝光基板相对于所述投影光学系统相对移动；以及第二液浸移动工序，该第二液浸移动工序在比所述第一液浸移动工序的移动距离长的距离中，在所述被曝光基板和所述投影光学系统之间隔着所述液体但不进行所述曝光处理，使所述被曝光基板以比所述第一液浸移动工序的移动速度慢的速度相对于所述投影光学系统相对移动。
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