[发明专利]稳定的非晶硅核电池无效
| 申请号： | 200710002566.8 | 申请日： | 2007-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN101236796A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 李沅民;马昕 | 申请（专利权）人： | 北京行者多媒体科技有限公司 |
| 主分类号： | G21H1/06 | 分类号： | G21H1/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100086北京市海淀区中关村南大街*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了将核能转换成电能的原子电池的一种设计方案。本发明由于把含氚的β放射性元素放置在p－i－n型器件的i层之外，使得基于氚化非晶硅的β伏(beta－voltaic)核电池的性能被极大地提高。由氚化非晶硅或其合金所组成的p层和n层是β放射源的最佳选择。β放射核能量也可由外部的接触层提供给p－i－n型的基于硅薄膜的核电池。 | ||
| 搜索关键词： | 稳定 非晶硅 核电 | ||
【主权项】：
1. 一个p-i-n型β伏电池，它由下列基于硅的薄膜层构成：a)一个β活性p层，由氚原子浓度高于8％的硼掺杂的氚化非晶硅或非晶硅合金组成；b)一个β活性n层，由氚原子浓度高于4％的磷掺杂的氚化非晶硅或硅合金组成；c)一个本征i层，由没有氚等辐射性成分的、非掺杂的非晶硅或硅合金组成，并被放置在所述的β活性p层和所述的β活性n层之间。
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