[发明专利]高带宽磁阻随机存取存储器装置及其操作方法有效
| 申请号： | 200710001785.4 | 申请日： | 2007-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101004946A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 洪建中;李元仁;高明哲 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 蒲迈文;黄小临 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种存取一磁阻随机存取存储器(MRAM)装置的存储单元的方法，其中存储单元包含多个存储器单元，所述方法包含通过识别其中已存储有与将要写入到其中的数据不同的数据的存储器单元中的多个存储器单元来写入存储单元；以及同时写入存储器单元中的多个存储器单元的全部。MRAM装置包含多个写入字线，多个写入位线以及多个存储单元。每一个存储单元包含多个存储器单元。每一个存储器单元包含：自由磁区，其具有不垂直于写入位线且不垂直于写入字线中的一条或一个以上磁性易磁化轴；固定磁区；以及自由磁区与固定磁区之间的隧道阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 带宽 磁阻 随机存取存储器 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种存取磁阻随机存取存储器(MRAM)装置的存储单元的方法，所述存储单元包括多个存储器单元，每一存储器单元用于存储数据位，所述方法包括：写入所述存储单元，其包括：识别所述存储器单元中的多个存储器单元，所述存储器单元中的每一个所述多个存储器单元中已存储有与将要写入到其中的数据不同的数据；以及同时写入所述存储器单元中的所述多个存储器单元的全部。
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