[发明专利]写操作期间使用恢复晶体管以防止非选定元件的干扰无效
| 申请号： | 200680052840.6 | 申请日： | 2006-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101375340A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 埃米尔·兰布朗克;邓肯·柯里;理查德·F·庞 | 申请（专利权）人： | 爱特梅尔公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孟锐 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 用于在存储阵列中执行写操作的存储阵列和方法，其消除选定位线和非选定位线之间的寄生耦合并保护非选定位线上的存储单元。存储阵列(100)具有多个存储单元(148、150、152、154)，每一存储单元耦合至单一阵列位线(104、106、108、110)。单一恢复晶体管(138、140、142、144)耦合至每一阵列位线(104、106、108、110)。奇数位线(140、144)上的恢复晶体管(140、144)耦合至第一电压和第二电压(128、144)，而偶数位线上的恢复晶体管耦合至第一电压和第三电压(128、126)。在写操作期间，耦合至非选定位线的每一恢复晶体管在写操作期间和恢复操作期间处在活动状态，而耦合至选定位线的每一恢复晶体管在恢复操作期间处在活动状态。所述第一电压(128)足以防止写操作期间选定位线与非选定位线之间的寄生耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 操作 期间 使用 恢复 晶体管 防止 选定 元件 干扰 | ||
【主权项】：
1.一种存储阵列，包括：a)多个存储单元；b)多根阵列位线，所述多个存储单元的每一个耦合至所述多根阵列位线中的单一一根，每一奇数位线耦合至被设置成耦合至第一电压和第二电压的单一恢复晶体管，每一偶数位线耦合至被设置成耦合至所述第一电压和第三电压的单一恢复晶体管，每一个所述恢复晶体管被设置成耦合至非选定位线被设置成在写操作和恢复操作期间处在活动状态，每一个所述恢复晶体管被设置成耦合至选定位线被设置成在恢复操作期间处在活动状态，每一个所述恢复晶体管被设置成使得：每一非选定位线被设置成在写操作期间耦合至所述第一电压，所述第一电压足以防止所述选定位线与所述非选定位线之间在写操作期间的寄生耦合。
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