[发明专利]通过纳米晶体的可变换发射进行检测无效

专利信息
申请号: 200680051500.1 申请日: 2006-12-15
公开(公告)号: CN101365938A 公开(公告)日: 2009-02-11
发明(设计)人: 应仪如;于晓华;埃姆里尔·穆罕默德·阿利;尼基尔·R·贾纳 申请(专利权)人: 新加坡科技研究局
主分类号: G01N21/64 分类号: G01N21/64
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 蔡胜有;刘继富
地址: 新加坡*** 国省代码: 新加坡;SG
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摘要: 发明涉及用于测定分析物的方法。本发明提供包括将发光物品(10)暴露于分析物的多种方法,其中当与所述分析物相互作用时,可观察到发光随暴露于电磁辐射的持续时间的变化,由此测定分析物。本发明的一些实施方案包括利用高发射性的半导体纳米晶体。在本发明的一个实例中,半导体ZnO纳米晶体(20)形成包封在胺壳(30)中的核。在一些情形中,纳米粒子与样品中存在的醛之间的相互作用可影响由此形成的纳米粒子的光稳定性。在一些实施方案中,可在纳米粒子光漂白时测定样品中醛的存在。
搜索关键词: 通过 纳米 晶体 变换 发射 进行 检测
【主权项】:
1.一种通过分析物与发光物品的相互作用来测定所述分析物的方法,所述方法包括:提供怀疑含有分析物的样品;将所述样品暴露于包含外层的发光物品,并且如果存在所述分析物的话,通过所述分析物与所述外层的相互作用使所述分析物相对于所述物品固定,其中通过所述相互作用来改变所述外层;测定所述发光物品的第一发射;在足以引起所述发光物品的发光特性改变的条件下将所述发光物品暴露于电磁辐射一段时间;测定所述发光物品的第二发射;以及测定指示存在所述分析物的所述第一发射和所述第二发射之间的差异,其中对所述外层的改变提高所述物品在所述条件下在电磁辐射中暴露所述时间段时对发光特性变化的敏感性,使得在不存在分析物的情况下,所述物品在所述条件下在所述电磁辐射中暴露所述时间段不产生所述第一和第二发射之间的所述差异。
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