[发明专利]湿度传感器无效
| 申请号： | 200680042536.3 | 申请日： | 2006-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101310175A | 公开（公告）日： | 2008-11-19 |
| 发明（设计）人： | 罗马诺·霍夫曼;朱利恩·M·M·米舍隆 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;G01N27/22 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种湿度传感器包括在沟槽(26)中形成的交叉指型的第一和第二电极。在电极之间提供了多孔低介电常数电介质(20)。电极具有被阻挡层(28、32)围绕的Cu(30)，从而保护Cu不被腐蚀。TiN可被用作阻挡层(28)，并且选择性地沉积诸如CoWB、MoWB、或者NiMoP之类的阻挡材料，用作阻挡层(32)。 | ||
| 搜索关键词： | 湿度 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种湿度传感器，其包括：第一和第二导电电极(40，42)，其中每个电极都具有至少一个组件(48)，所述第一和第二导电电极(40，42)的组件(48)彼此平行地延伸，总平行长度至少为0.3mm，并且所述组件间距不超过1μm；以及多孔电介质(20)，其具有大于10％的孔隙度，所述多孔电介质用于将所述第一和第二电极(40，42)分开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于NXP股份有限公司，未经NXP股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680042536.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
