[发明专利]磁阻隧道结磁性器件及其在磁性随机存取存储器中的应用有效
| 申请号： | 200680038128.0 | 申请日： | 2006-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101288186A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | B·迪耶尼;A·维耶夫;J·富尔－万桑;P·瓦兰;M·雅梅;Y·萨姆森 | 申请（专利权）人： | 原子能源局;国家科学研究中心 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/15;G11C11/16;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 包括磁阻隧道结(100)的磁性器件，该磁阻隧道结包括：具有固定磁化方向的基准磁性层(120)，具有可变磁化方向的存储磁性层(110)；和作为隧道势垒的中间层(130)，该中间层实质是半导体或电绝缘的，用来分隔基准磁性层(120)和存储磁性层(110)。中间层(130)的电势分布图在所述层(130)的厚度内是非对称的，以便产生作为施加电压函数的非对称的电流响应随。本器件可用于磁性随机存取存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 隧道 磁性 器件 及其 随机存取存储器 中的 应用 | ||
【主权项】：
1、一种包含磁阻隧道结(100)的磁性器件，其中磁阻隧道结(100)包括：具有固定磁化方向的基准磁性层(120)；具有可变磁化方向的存储磁性层(110)；和作为隧道势垒的中间层(130)，中间层(130)实质是半导电或电绝缘的，并将基准磁性层(120)与存储磁性层(110)分隔开；该器件的特征在于，中间层(130)的电势分布图在所述层(130)的厚度中是非对称的，以便产生作为施加电压函数的非对称的电流响应。
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