[发明专利]TFT基板及TFT基板的制造方法无效
| 申请号： | 200680037265.2 | 申请日： | 2006-10-02 |
| 公开（公告）号： | CN101283388A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 井上一吉;矢野公规;田中信夫 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | G09F9/30 | 分类号： | G09F9/30;H01L21/336;G02F1/1368;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种TFT基板及TFT基板的制造方法，其提出削减制造工序的工序数，并缩短制造时间，由此降低制造成本，并且制造成品率提高的方法。TFT基板构成为，具备：基板；在该基板的上方形成有栅电极及栅极配线；在栅电极及栅极配线的上方形成有栅极绝缘膜；至少在栅电极的上方的栅极绝缘膜的上方形成有第一氧化物层；在第一氧化物层的上方形成有第二氧化物层，并利用第二氧化物层至少形成像素电极。 | ||
| 搜索关键词： | tft 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种TFT基板，其具备：基板；在该基板的上方形成有栅电极及栅极配线；至少在所述栅电极及所述栅极配线的上方形成有栅极绝缘膜；至少在所述栅电极的上方的所述栅极绝缘膜的上方形成有第一氧化物层；在所述第一氧化物层的上方形成有第二氧化物层，所述TFT基板的特征在于，利用所述第二氧化物层至少形成像素电极。
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