[发明专利]高分辨率电阻率地层成像器无效
| 申请号： | 200680032746.4 | 申请日： | 2006-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN101258424A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | G·B·伊特斯科维奇;A·N·贝斯帕罗弗 | 申请（专利权）人： | 贝克休斯公司 |
| 主分类号： | G01V3/00 | 分类号： | G01V3/00;G01V3/02;G01V3/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 朱智勇 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提出了用测井仪间隔校正由处在导电性地层中的具有非导电性的泥浆的井眼内的电阻率成像测井仪进行的测量。该校正包括从所测得的阻抗中减去在高电导率的媒体内确定的校准信号。可以使用阻抗的值和/或实部。 | ||
| 搜索关键词： | 高分辨率 电阻率 地层 成像 | ||
【主权项】：
1.一种检测井眼所穿过的地层的电阻率参数的设备，所述设备包括：(a)至少一个具有电位的将测量电流传入地层的测量电极；(b)测量所述至少一个测量电极与井眼的壁之间的间隔的装置；以及(c)利用下列项估计电阻率参数的处理器：(A)根据(I)所述测量电流和(II)所述电位中至少一个确定的阻抗参数，以及(B)所述间隔。
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