[发明专利]用于改变电浮动体晶体管的编程持续时间和/或电压的方法和设备以及实现其的存储单元阵列

摘要

描述了许多发明以及这些发明的许多方面和实施例，例如用于读取、写入和/或操作包括电荷存储在晶体管的主体中的电浮动体晶体管的存储单元阵列的半导体存储单元的电路和技术。在一个方面，本发明涉及存储器操作(例如恢复、写入、刷新)的一个或多个独立可控的参数，用于向存储单元中编程或写入数据状态。在一个实施例中，该参数是向存储单元中编程或写入预定数据状态的时间量。在另一个实施例中，该可控参数是在向存储单元中编程或写入预定数据状态期间施加到栅极、漏极区域和/或源极区域的控制信号的电压的幅度。事实上，该可控参数可以是时间和电压幅度两者。特别地，存储单元阵列可以包括例如逻辑器件(例如微处理器)的一部分集成电路装置或一部分存储装置(例如分立的存储器)。

主权项

1.一种集成电路装置，包括：存储单元阵列，其具有多个存储单元，其中，每个存储单元包括电浮动体晶体管，其中，所述电浮动体晶体管包括：源极区域；漏极区域；体区域，布置在所述源极区域和所述漏极区域之间，其中，所述体区域是电浮动的；以及栅极，布置在所述体区域上方；其中，每个存储单元包括：(i)第一数据状态，其表示所述电浮动体晶体管的所述体区域中的第一电荷，以及(ii)第二数据状态，其表示所述电浮动体晶体管的所述体区域中的第二电荷；电路，其耦合到所述存储单元阵列，用于对存储单元中的一个或多个编程，其中，所述电路包括：控制信号产生电路，其耦合到存储单元，用于产生具有时间特性的第一预定编程操作和第二预定编程操作的控制信号；以及可编程持续时间电路，其耦合到所述控制信号产生电路，用于控制所述第一预定编程操作和所述第二预定编程操作的一个或多个控制信号的时间特性；其中，所述第一预定编程操作的一个或多个控制信号的时间特性与所述第二预定编程操作的相应的控制信号的时间特性不同。