[发明专利]用于辐射扫描的低中子发射的X射线辐射源无效

专利信息
申请号: 200680022734.3 申请日: 2006-05-23
公开(公告)号: CN101366096A 公开(公告)日: 2009-02-11
发明(设计)人: 詹姆斯·E·克雷顿 申请(专利权)人: 瓦润医药系统技术公司
主分类号: H01J35/08 分类号: H01J35/08
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 屠长存
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 在一示例中,辐射源包括外壳和外壳内的加速腔,其具有大于钽的最低中子产生阈值的峰值加速能量。带电粒子源由外壳支撑以向加速腔内发射带电粒子。靶由外壳支撑,并位于加速腔的下游。靶基本上由至少一种具有大于峰值加速能量的中子产生阈值的同位素构成。所以,不产生中子。所述源也可包括准直器、靶遮蔽体和/或外壳遮蔽体,其包括至少一种具有大于峰值加速能量的中子产生阈值的同位素,且与现有技术相比,减少或消除了中子产生。还公开了包括所述源的系统、所述源的工作方法以及制造所述源的方法。
搜索关键词: 用于 辐射 扫描 中子 发射 射线 辐射源
【主权项】:
1.一种辐射源,包括:外壳;在所述外壳内的加速腔,该加速腔在使用期间具有大于钽的中子产生阈值的峰值加速能量;带电粒子源,其被所述外壳支撑,用于向所述加速腔内发射带电粒子;和靶,其由所述外壳支撑,并位于所述加速腔的下游;其中:由被加速的带电粒子对所述靶碰撞而产生辐射;并且所述靶基本上由至少一种具有大于所述峰值加速能量的中子产生阈值的同位素构成。
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