[发明专利]用于超临界流体去除或沉积工艺的装置和方法无效

专利信息
申请号: 200680021593.3 申请日: 2006-04-17
公开(公告)号: CN101198723A 公开(公告)日: 2008-06-11
发明(设计)人: 迈克尔·B·克赞斯基;埃利奥多·G·根丘;许从应;托马斯·H·鲍姆;帕梅拉·M·维辛廷 申请(专利权)人: 高级技术材料公司
主分类号: C23G1/00 分类号: C23G1/00;B05C11/02
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 王海川;樊卫民
地址: 美国康*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种连续流超临界流体(SCF)装置和方法,用于将薄膜沉积到微电子器件上或从其上具有不需要的层、粒子和/或残渣的微电子器件上去除所述不需要的层、粒子和/或残渣。所述SCF装置优选包括动态混合器,以保证将SCF与其它化学组分均匀混合。
搜索关键词: 用于 临界 流体 去除 沉积 工艺 装置 方法
【主权项】:
1.一种连续流超临界流体(SCF)装置,所述SCF装置包括:(a)盛放溶剂的溶剂容器;(b)连通至所述溶剂容器的高压溶剂泵,用于使所述高压溶剂泵下游的所述溶剂流动;(c)连通至并定位于所述高压溶剂泵下游的溶剂加热器,其中所述溶剂加热器布置成用于将所述溶剂转化为超临界状态;(d)高压化学组分泵,用于使所述化学组分泵下游的至少一种化学组分流动;(e)连通至并定位于所述溶剂加热器和所述化学组分泵两者下游的混合室;和(f)连通至并定位于所述溶剂加热器和所述混合室下游的处理室。
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