[发明专利]衬底表面和室表面的蚀刻剂处理工艺有效
申请号: | 200680010817.0 | 申请日: | 2006-01-27 |
公开(公告)号: | CN101155648A | 公开(公告)日: | 2008-04-02 |
发明(设计)人: | 阿卡第·V·萨沐罗夫;阿里·佐扎伊 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | B08B6/00 | 分类号: | B08B6/00;C25F1/00;C25F3/30 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 赵飞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明的一种实施方式提供了一种处理含硅表面的方法,该方法包括通过慢蚀刻工艺(例如,约<100/min)去除污染物和/或平滑衬底表面。将衬底暴露于包含蚀刻剂和硅源的蚀刻气体。优选地,蚀刻剂为氯气,并将衬底加热至小于约800℃的温度。在另一种实施方式中,提供了一种快蚀刻工艺(例如,约>100/min),该工艺包括去除硅材料,同时在衬底表面的源极/漏极(S/D)区域内形成凹槽。在另一种实施方式中,提供了一种清洁处理室的方法,该方法包括将处理室内表面暴露于包含蚀刻剂和硅源的室清洁气体。该室清洁工艺限制了对处理室内部的石英和金属表面的蚀刻。 | ||
搜索关键词: | 衬底 表面 蚀刻 处理 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种用于在衬底表面上形成含硅材料的方法,包括:将包含具有污染物的硅材料的衬底定位在处理室中;在蚀刻工艺中,将所述衬底暴露于包含氯气、硅源和载气的蚀刻气体;和去除所述污染物和预定厚度的所述硅材料,其中,所述硅材料以约2/min或更小的速率被去除。
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