[发明专利]等离子体处理系统中确定清洁或调节处理终点的方法和装置有效
| 申请号： | 200680010072.8 | 申请日： | 2006-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN101166583A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 埃里克·赫德森;道格拉斯·凯尔;阿列克谢·马拉赫塔诺夫 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | B05C11/00 | 分类号： | B05C11/00;B05C13/00;C23C16/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过测量层的厚度来确定处理的终点的方法，该层通过先前处理沉积在表面上。该方法包括提供与表面共面的传感器，其中，该传感器被配置为测量厚度。该方法还包括：将等离子体室暴露给等离子体，其中，通过暴露来改变厚度；以及确定厚度作为时间的函数。该方法还包括确定厚度中的稳态条件，该稳态条件的特征在于厚度基本上不变的测量结果，稳态条件的开始表示终点。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 系统 确定 清洁 调节 终点 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种通过测量层的厚度来确定处理的终点的方法，所述层通过先前处理沉积在表面上，所述方法包括以下步骤：提供与所述表面共面的传感器，其中，所述传感器被配置为测量所述厚度；将等离子体室暴露给等离子体，其中，通过所述暴露来改变所述厚度；确定所述厚度作为时间的函数；以及确定所述厚度中的稳态条件，所述稳态条件的特征在于所述厚度基本上不变的测量结果，所述稳态条件的开始表示所述终点。
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