[发明专利]带优化C(T)的ITFC有效
申请号: | 200680009401.7 | 申请日: | 2006-03-31 |
公开(公告)号: | CN101147434A | 公开(公告)日: | 2008-03-19 |
发明(设计)人: | C·帕兰杜茨;D·伍德 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H05K1/16 | 分类号: | H05K1/16;H01G4/12 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 顾嘉运 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种方法包括在衬底上沉积包含大量陶瓷材料纳米微粒的胶体的悬浮液;并且热处理该悬浮液以形成薄膜。一种方法包括将多个陶瓷材料纳米微粒沉积在衬底表面的预定位置上;并且热处理该多个纳米微粒以形成薄膜。一种系统包括包含微处理器的计算设备,该微处理器通过衬底耦合至印刷电路板,该衬底包括在衬底上形成的至少一个电容器结构,该电容器结构包括第一电极、第二电极、以及耦合在第一电极和第二电极之间的陶瓷材料,其中该陶瓷材料包括柱状晶粒。 | ||
搜索关键词: | 优化 itfc | ||
【主权项】:
1.一种装置,包括:包含置于两个电极之间的第一陶瓷材料的第一电容器结构;以及包含置于两个电极之间的第二陶瓷材料的第二电容器结构,其中所述第一陶瓷材料和所述第二陶瓷材料具有不同的额定工作温度。
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