[发明专利]多晶陶瓷结构中的磷光体和包括该磷光体的发光元件有效
| 申请号： | 200680008335.1 | 申请日： | 2006-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN101142857A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | J·德格拉夫;T·A·科普 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H05B33/20 | 分类号： | H05B33/20;H01L33/00;C09K11/80;C04B35/44 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 李静岚;谭祐祥 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明涉及一种多晶陶瓷结构中的磷光体和设置有该磷光体的包括发光二极管的发光元件，其中磷光体颗粒的复合结构嵌入在基质中，特征在于基质为包括多晶陶瓷氧化铝材料的陶瓷复合结构，此后称作发光陶瓷基质复合材料。这种发光陶瓷基质复合材料可以通过下述步骤制得：将陶瓷磷光体颗粒和氧化铝颗粒的粉末混合物转变成浆料，使浆料成形为压块，然后实施热处理，可选择地结合热等静压成包含陶瓷氧化铝复合结构的多晶磷光体。发光陶瓷基质复合材料还允许通过改变磷光体颗粒和第二陶瓷颗粒份额中的至少一个、陶瓷复合结构的颗粒粒度、陶瓷复合结构的颗粒折射率之差以及包含陶瓷复合结构的多晶磷光体的多孔性来调整光扩散特性这一方法。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 陶瓷 结构 中的 磷光体 包括 发光 元件 | ||
【主权项】：
1.一种多晶陶瓷结构中的磷光体，包括掺杂的YAG型磷光体，其特征在于，该磷光体嵌入在包括非发光多晶氧化铝的陶瓷基质中，其中陶瓷基质包括80到99.99vol.％的氧化铝和0.01到20vol.％的磷光体。
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