[发明专利]磁记录介质的制造方法、磁记录介质、以及磁记录和再现装置有效
申请号: | 200680007908.9 | 申请日: | 2006-03-16 |
公开(公告)号: | CN101138025A | 公开(公告)日: | 2008-03-05 |
发明(设计)人: | 冈正裕 | 申请(专利权)人: | 昭和电工株式会社 |
主分类号: | G11B5/84 | 分类号: | G11B5/84;G11B5/72;G11B5/64 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 杨晓光;李峥 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种磁记录介质的制造方法,其中当以氧化物磁性材料为垂直磁记录层并通过等离子体CVD方法形成碳保护层时,可防止碳保护层的剥离以及润滑层的分离,并可获得符合要求的记录和再现特性。在磁记录介质的制造过程中,磁记录介质至少由基底1构成,在基底1上提供垂直磁记录层和碳保护层,其中垂直磁记录层由包括Co合金和氧化物材料的磁性材料构成,该方法包括在基底1上形成垂直磁记录层的垂直磁记录层形成过程,采用加热部分28加热在其上形成有垂直磁记录层的基底的加热过程,以及通过等离子体CVD方法在其上形成有垂直磁记录层的基底1上形成碳保护层的保护层形成过程。 | ||
搜索关键词: | 记录 介质 制造 方法 以及 再现 装置 | ||
【主权项】:
1.一种制造磁记录介质的方法,所述介质包括在基底上的垂直磁记录层和碳保护层,其中所述垂直磁记录层由包括Co合金和氧化物材料的磁性材料形成,所述方法包括:垂直磁记录层形成过程,在所述基底上形成垂直磁记录层;加热过程,加热其上形成有所述垂直磁记录层的所述基底;以及保护层形成过程,通过等离子体CVD方法在其上形成有所述垂直磁记录层的所述基底上形成碳保护层。
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