[发明专利]真空测量仪有效

专利信息
申请号: 200680007086.4 申请日: 2006-03-01
公开(公告)号: CN101133308A 公开(公告)日: 2008-02-27
发明(设计)人: W·克纳普;M·沃斯特 申请(专利权)人: 英飞康有限责任公司
主分类号: G01L21/30 分类号: G01L21/30;G01L21/32;G01L21/34;H01J1/30;H01J1/304;H01J41/00;H01J41/02;H01J41/04;H01J41/06;H01J41/08;H01J41/10;H01J19/00;H01J19/02;H01J19/04
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 崔幼平
地址: 瑞士巴*** 国省代码: 瑞士;CH
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摘要: 发明提出一种发射电子的阴极(6),它由装接到由不锈钢制成的侧壁(2)上的导电的发射层(7)和门(9),将该门以很小的距离固定在发射层(7)的凹入的发射表面的内部。阴极(6)围绕着一个反应区域(3),该反应区域包含一个圆柱形的筛网状的阳极(5)和一个位于中心的离子收集器(4),该离子收集器包括一直的轴向细丝。电流计(11)测量反映在反应区域(3)中气体密度的离子收集器电流(IIC),同时将门电压(VG)保持在发射层(7)的地电压与较高的阳极电压(VA)之间,并且调节门电压,其方式使得将阳极电流(IA)保持不变。发射层(7)可包括碳纳米管,金刚石状的碳,一种金属或一种金属混合物,或者一种半导体材料,半导体材料例如是可以比如用碳化物或钼涂布的硅。然而,发射表面也可是例如被化学刻蚀过程变粗糙的侧壁的内表面的一部分。门(9)可以是一种筛网,或者,它可以包括覆盖分布在发射区上的隔离器的金属薄膜小片或覆盖设置在发射表面上的电子可穿透层的一层金属薄膜。
搜索关键词: 真空 测量仪
【主权项】:
1.一种真空测量仪,它包括:带有壁的壳体,所述壁由导电材料制成,并且形成内壁表面,所述内壁表面界定出反应区域(3);场发射阴极(6),用来将电子发射到所述反应区域(3)中,所述发射阴极带有发射区,所述发射区至少间断地被发射表面占据;导电的门(9),所述门间断地覆盖着所述发射区并且与所述发射表面电绝缘的,且电绝缘的隔离器支承着所述门,使所述门与所述发射表面离开一定距离,在与所述发射表面垂直的方向上有基本上不变的门距离;还有连接到所述门(9)上的引线,所述引线穿过所述壳体连通到外面;以及配置在所述反应区域(3)内部的离子收集器(4),与所述场发射阴极(6)离开一定距离;还有连接到所述离子收集器(4)上的引线,所述引线穿过所述壳体连通到外面;其特征在于,所述发射区配置在所述壁表面。
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