[发明专利]全固态紫外线激光器系统无效

专利信息
申请号: 200680005268.8 申请日: 2006-02-07
公开(公告)号: CN101120493A 公开(公告)日: 2008-02-06
发明(设计)人: U·韦克曼;H·莫恩克 申请(专利权)人: 皇家飞利浦电子股份有限公司
主分类号: H01S5/183 分类号: H01S5/183;H01S5/343;H01S5/14;H01S3/109
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 李亚非;刘红
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 发明涉及全固态紫外线激光器系统,这种全固态紫外线激光器系统包括呈VECSEL构造的至少一个半导体激光器(10)。这种半导体激光器(10)中的增益结构(3)发射以一种波长范围的基频辐射,这种波长范围可被倍频至该紫外线区域中的波长。用非线性光学晶体(6)来实现这种倍频,这种非线性光学晶体(6)用于产生二次谐波并布置在半导体激光器(10)的外延腔中。通过半导体激光器的电泵浦,可用公知的半导体材料如GaN来有效地产生低于200nm的波长。激光器系统更加紧凑并可以用低于光泵浦半导体激光器的成本制造。所提出的紫外线激光器系统既紧凑又可以用低于紫外线受激准分子激光器的成本制造和操作。
搜索关键词: 固态 紫外线 激光器 系统
【主权项】:
1.一种全固态紫外线激光器系统,包括呈VECSEL构造的至少一个半导体激光器(10),所述半导体激光器(10)具有布置在第一镜(4)与外镜(7)之间的增益结构(3),所述第一镜(4)和所述外镜(7)形成所述半导体激光器(10)的激光谐振腔,其中,所述增益结构(3)包括电触点(5),所述这些电触点(5)被电泵浦并在被电泵浦时发射基频辐射(8),所述基频辐射(8)允许通过进行倍频而产生紫外线辐射(9),其中:所述外镜(7)对所述基频辐射(8)高度反射且所述紫外线辐射(9)可透过所述外镜(7),以及其中:用于产生所述基频辐射(8)的二次谐波的固态介质(6)布置在所述增益结构(3)与所述外镜(7)之间的所述激光谐振腔中。
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