[发明专利]移位寄存器、半导体器件、显示器件和电子设备有效
| 申请号： | 200610171828.9 | 申请日： | 2006-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN1983450B | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 梅崎敦司 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | G11C19/28 | 分类号： | G11C19/28;G09G3/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张雪梅;王勇 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件和移位寄存器，其中，在非选择周期中产生低噪声且晶体管不总是导通。提供第一到第四晶体管。第一晶体管的源极和漏极中的一个连接到第一线，其源极和漏极中的另一个连接到第二晶体管的栅电极，且其栅电极连接到第五线。第二晶体管的源极和漏极中的一个连接到第三线，且其源极和漏极中的另一个连接到第六线。第三晶体管的源极和漏极中的一个连接到第二线，其源极和漏极中的另一个连接到第二晶体管的栅电极，且其栅电极连接到第四线。第四晶体管的源极和漏极中的一个连接到第二线，其源极和漏极中的另一个连接到第六线，且其栅电极连接到第四线。 | ||
| 搜索关键词： | 移位寄存器 半导体器件 显示 器件 电子设备 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，其中第一晶体管的源极和漏极中的一个连接到第一线，第一晶体管的源极和漏极中的另一个连接到第二晶体管的栅电极和第三晶体管的源极和漏极中的一个，且第一晶体管的栅电极连接到第五线；其中第二晶体管的源极和漏极中的一个连接到第三线，且第二晶体管的源极和漏极中的另一个连接到第六线；其中第三晶体管的源极和漏极中的该一个连接到第二晶体管的栅电极，第三晶体管的源极和漏极中的另一个连接到第二线，且第三晶体管的栅电极连接到第四线；以及其中第四晶体管的源极和漏极中的一个连接到第六线，第四晶体管的源极和漏极中的另一个连接到第二线，且第四晶体管的栅电极连接到第四线。
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