[发明专利]光刻设备和使用干涉测量和无掩模曝光单元的装置制造法无效
| 申请号： | 200610169375.6 | 申请日： | 2006-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN1987660A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | K·Z·特罗斯特;A·J·布利克 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 荷兰费*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种光刻系统，包括干涉曝光单元和光刻单元。该光刻单元可以包括单独可控元件阵列。可以设置该光刻系统以使得由干涉曝光单元曝光的各线的间距是对应于单个单独可控元件的光刻单元曝光区的尺寸的整数倍。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 设备 使用 干涉 测量 无掩模 曝光 单元 装置 制造 | ||
【主权项】：
1、一种用于在基片上曝光图案的光刻系统，包括：第一曝光单元，其投影两束辐射到至少部分基片上，以使得该两束辐射发生干涉来曝光多个线；和第二曝光单元，其使用单独可控元件阵列调制辐射束并投影该被调制辐射束到至少部分基片上；其中，配置第一和第二曝光单元以使得由第一曝光单元曝光的各线在垂直于各线长度的方向上的间距是在由第二曝光单元在基片上曝光的方向上对应于单个单独可控元件的宽度的整数倍。
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