[发明专利]制造高密度的半成品或元件的方法有效
| 申请号： | 200610167574.3 | 申请日： | 2006-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101007350A | 公开（公告）日： | 2007-08-01 |
| 发明（设计）人： | W·施皮尔曼;G·莱希特弗里德 | 申请（专利权）人： | 普兰西金属有限公司 |
| 主分类号： | B22F3/16 | 分类号： | B22F3/16;H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 徐雁漪 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及一种由平均相对密度＞98.5％、相对芯部密度＞98.3％的钼、钼合金、钨或钨合金材料制造半成品或元件的方法。该方法包括烧结到相对密度D为90％＜D＜98.5%，且闭孔相对于总孔隙度的比例＞0.8，并在0.40到0.65×固相线温度的温度下和50到300MPa的压力下进行热等静压制。用这种方法制造的元件例如被用作电极，其具有许多改良的使用寿命特性。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 高密度 半成品 元件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种由平均相对密度＞98.5％、相对芯部密度＞98.3％的钼、钼合金、钨或钨合金材料制造半成品或元件的方法，其特征在于，该方法包含至少以下步骤：·制备Fisher粒径为0.5到10μm的粉末；·在100到500MPa的压力下压制该粉末；·在0.55到0.92×固相线温度的温度下烧结到相对密度为D，其中90％＜D＜98.5％；·在0.40到0.65×固相线温度的温度下和50到300MPa的压力下，不使用罐的情况下进行热等静压制；·以成型率成形，其中15％＜＜90％。
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