[发明专利]半导体器件的高电压发生器件有效
| 申请号： | 200610156459.6 | 申请日： | 2006-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101154440A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 姜溁洙 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4074 | 分类号： | G11C11/4074;G11C11/4076 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 半导体器件的高电压发生器包括第一高电压泵单元、第二高电压泵单元和时钟信号发生单元。第一高电压泵单元比较第一高电压和第一基准电压以生成第一使能信号，并且响应第一使能信号和第一时钟信号而执行抽运操作以生成第一高电压。第二高电压泵单元比较第二高电压和第二基准电压以生成第二使能信号，并且响应第二使能信号和第二时钟信号而执行抽运操作以生成第二高电压。当第一使能信号和第二使能信号中的至少一个被使能时，时钟信号发生单元响应第一使能信号和第二使能信号而生成第一时钟信号或第二时钟信号。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电压 发生 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的高电压发生器，包括第一高电压泵单元，其比较第一高电压和第一基准电压并生成第一使能信号，并且响应所述第一使能信号和第一时钟信号而执行抽运操作以生成所述第一高电压；第二高电压泵单元，其比较第二高电压和第二基准电压并生成第二使能信号，并且响应所述第二使能信号和第二时钟信号而执行抽运操作以生成所述第二高电压；以及时钟信号发生单元，其当所述第一使能信号和所述第二使能信号中的至少一个被使能时，响应所述第一使能信号和所述第二使能信号而生成所述第一时钟信号或所述第二时钟信号。
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