[发明专利]一种纳米粉体直接添加的改性PZT压电陶瓷及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200610154840.9 申请日: 2006-11-27
公开(公告)号: CN1958509A 公开(公告)日: 2007-05-09
发明(设计)人: 陶锋烨;王振;洪樟连;李广慧;郭煌;胥金华;姚志军;张火荣;王民权 申请(专利权)人: 浙江嘉康电子股份有限公司;浙江大学
主分类号: C04B35/462 分类号: C04B35/462;C04B35/622;H01L41/187
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 代理人: 胡红娟
地址: 314000浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种纳米粉体原料直接添加制备的改性锆钛酸铅压电陶瓷及其制备方法,采用纳米粉体取代配方中的微米粉体,并在混合料中直接添加纳米组分粉体添加剂,预烧温度降低50℃~200℃,成烧温度可降低50℃~100℃,可综合调控预烧样品的晶相和料性,以及成烧压电陶瓷的电学性能;在1200℃左右成烧的纳米粉体直接添加改性压电陶瓷的居里点提高了50~100℃,高低温冲击稳定性能优越:TC=350~400℃;ε=350~800;Kp=0.48~0.60,介电常数可调;材料工艺稳定,重现性好。本发明压电陶瓷材料可应用于陶瓷鉴频器、滤波器等频率元器件的生产。
搜索关键词: 一种 纳米 直接 添加 改性 pzt 压电 陶瓷 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种纳米粉体直接添加改性制备的锆钛酸铅压电陶瓷,其特征在于:配方组成式为:Pb1-XAX(Zr0.5+YTi0.4+Z)(B1/3C2/3)Y+ZO3,其中A为Mg、Ca、Sr或Ba中的一种或两种,B为Mn、Zn、Ni、Sb或Mg的一种或两种,C为Sb、Nb或W的一种或两种;0<x≤0.12,0<Y≤0.15,0<Z≤0.25。
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