[发明专利]过电压保护元件的结构与材料及其制造方法无效
| 申请号： | 200610152378.9 | 申请日： | 2006-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101154477A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 刘德邦;张琇云 | 申请（专利权）人： | 佳邦科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B1/06 | 分类号： | H01B1/06;H01B1/04;H01C7/10;H01C7/118;H01C7/12;H01C8/04;H01G9/18;H01L29/02 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方;王东 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种过电压保护元件的材料与结构。所述材料包含P型半导体粉末或N型半导体粉末及粘结剂。所述过电压保护元件的结构包含：一第一电极；一第二电极；及一多孔隙基质，连接于所述第一电极与所述第二电极之间。本发明进一步涉及制造所述过电压保护元件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 过电压 保护 元件 结构 材料 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种过电压保护元件的材料，其包含：P型半导体粉末或N型半导体粉末其中一者；及粘结剂。
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