[发明专利]清洗晶背的方法无效
| 申请号： | 200610148085.3 | 申请日： | 2006-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101209449A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 杨晓松;田晓丹;程鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B08B3/08 | 分类号： | B08B3/08;B08B3/10;C11D7/50;H01L21/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种清洗晶背的方法，其中，该方法包括如下步骤：a.喷洒强氧化剂至晶背表面，将晶背上的污染物变成可溶于水的化合物；b.喷洒水至晶背表面以彻底清洗晶背的污染物。所述强氧化剂为硝酸和氢氟酸的混合溶剂。所述晶背上的污染物为有机化合物。所述晶背上的污染物为金属污染物。与现有技术相比，本发明首先采用强氧化剂将晶背上的污染物变成可溶于水的化合物，再通过喷洒水将晶背表面的污染物彻底地清洗干净。 | ||
| 搜索关键词： | 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种清洗晶背的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：a.喷洒强氧化剂至晶背表面，将晶背上的污染物变成可溶于水的化合物；b.喷洒水至晶背表面以彻底清洗晶背的污染物。
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